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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源,也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。
圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點(diǎn)擊查看2N6661-E3參考圖片 2N6661-E3 Vishay/Siliconix TO-39 MOSFET 90V 0.9A
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:90 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看3N163參考圖片 3N163 Vishay/Siliconix TO-72 MOSFET 40V 5mA 375mW
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 70 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,...
點(diǎn)擊查看3N163-E3參考圖片 3N163-E3 Vishay/Siliconix TO-72 MOSFET 40V 5mA 375mW
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏極...
點(diǎn)擊查看3N164參考圖片 3N164 Vishay/Siliconix TO-72 MOSFET 30V 3mA 375mW
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 70 V,閘/源擊穿電壓:- 3.5 V,漏...
3N164-E3 Vishay/Siliconix TO-206AF-4 MOSFET 30V 3mA 375mW
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏極...
點(diǎn)擊查看IRL510參考圖片 IRL510 Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 10 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRL510L參考圖片 IRL510L Vishay/Siliconix TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 10 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRL510PBF參考圖片 IRL510PBF Vishay/Siliconix TO-220-3 14,511 MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 10 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRL510S參考圖片 IRL510S Vishay/Siliconix D2PAK(TO-263) MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 10 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRL510SPBF參考圖片 IRL510SPBF Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 10 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRL510STRL參考圖片 IRL510STRL Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 10 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRL510STRLPBF參考圖片 IRL510STRLPBF Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 800 MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 10 V,漏...
IRL510STRRPBF Vishay/Siliconix SMD-220 MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 10 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRL520參考圖片 IRL520 Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 10 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRL520LPBF參考圖片 IRL520LPBF Vishay/Siliconix TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 10 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRL520PBF參考圖片 IRL520PBF Vishay/Siliconix TO-220-3 9,040 MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 10 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRL520S參考圖片 IRL520S Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 10 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRL530參考圖片 IRL530 Vishay/Siliconix TO-220-3 MOSFET N-Chan 100V 15 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 10 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRL530PBF參考圖片 IRL530PBF Vishay/Siliconix TO-220-3 12,824 MOSFET N-Chan 100V 15 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 10 V,漏...
點(diǎn)擊查看IRL530STRR參考圖片 IRL530STRR Vishay/Siliconix TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB MOSFET N-Chan 100V 15 Amp
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 10 V,漏...

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