Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUB50N03-20C | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 30V 50A 83W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
|
SUB50P05-13LT | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 55V 50A 200W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：過渡期間，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：10... | ||||||
|
|
SUB60N04-15LT | Vishay/Siliconix | D2PAK | MOSFET 40V 60A 110W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：過渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
|
SUB60N06-18 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 60A 120W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SUB60N06-18-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 60A 120W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SUB65P04-15 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 65A 120W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SUB65P04-15-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 65A 120W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SUB65P06-20 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 65A 250W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SUB65P06-20-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 65A 250W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SUB70N03-09BP | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 70A 93W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SUB70N03-09BP-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 70A 93W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SUB70N03-09P | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 70A 93W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SUB70N03-09P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 70A 93W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SUB70N04-10 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 70A 120W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SUB70N04-10-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 70A 120W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SUB70N06-14 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 70A 142W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SUB70N06-14-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 60V 70A 142W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SUB75N03-04 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 75A 187W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SUB75N03-04-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 30V 75A 187W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SUB75N04-05L | Vishay/Siliconix | TO-263-3 | MOSFET 40V 75A 250W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
15/219 首頁 上頁 [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] 下頁 尾頁
