Ixys
|
IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP14N60PM | Ixys | TO-220 隔離的標(biāo)片 | MOSFET Polar MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
|
IXTP152N085T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET MOSFET Id152 BVdass85 | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，漏極連續(xù)電流：152 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
|
|
IXTP15N20T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 15 Amps 200V 180 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
|
|
IXTP15N50L2 | Ixys | TO-220-3 | 1,094 | MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
|
|
IXTP160N04T2 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 160 Amps 40V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
|
|
IXTP160N075T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET MOSFET Id160 BVdass75 | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，漏極連續(xù)電流：160 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
|
|
IXTP160N085T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：160 A，電阻汲... | ||||||
|
|
IXTP160N10T | Ixys | TO-220-3 | 68 | MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續(xù)電流：160 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0... | ||||||
|
|
IXTP16N50P | Ixys | TO-220-3 | 105 | MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：16 A，電阻汲... | ||||||
|
|
IXTP170N075T2 | Ixys | TO-220-3 | 100 | MOSFET 170 Amps 75V | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：170 A，電阻汲... | ||||||
|
|
IXTP180N055T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
|
|
IXTP180N085T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，漏極連續(xù)電流：180 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
|
|
IXTP180N10T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET MOSFET Id180 BVdass100 | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續(xù)電流：180 A，電阻汲極/源極... | ||||||
|
|
IXTP182N055T | Ixys | TO-220-3 | MOSFET MOSFET Id182 BVdass55 | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，漏極連續(xù)電流：182 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
|
|
IXTP18N60PM | Ixys | TO-220 隔離的標(biāo)片 | MOSFET Polar MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
|
|
IXTP18P10T | Ixys | TO-220-3 | 6,147 | MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
|
|
IXTP1N100 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：1.5 A，電... | ||||||
|
|
IXTP1N100P | Ixys | TO-220-3 | 582 | MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：1.2 A，電... | ||||||
|
|
IXTP1N120P | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：1 A，電阻汲... | ||||||
|
|
IXTP1N80 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 1 Amps 800V 11 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：1 A，電阻汲極... | ||||||
84/128 首頁 上頁 [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] 下頁 尾頁
