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IXTP1N100P

廠家：
  Ixys
封裝：
 TO-220-3
數(shù)量：
 8070  
說(shuō)明：
 MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds
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IXTP1N100P-TO-220-3圖片

IXTP1N100P PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：55 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時(shí)間：26 ns
功率耗散：50 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：24 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：13 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTP1N100P的詳細(xì)信息，包括IXTP1N100P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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