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Ixys

Ixys

IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications.
圖片 型號 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點擊查看IXTK88N30P參考圖片 IXTK88N30P Ixys TO-264(IXTK) MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:300 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:88 A,電阻汲...
點擊查看IXTK8N150L參考圖片 IXTK8N150L Ixys TO-264(IXTK) MOSFET 8 Amps 1500V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:25,...
點擊查看IXTK90N15參考圖片 IXTK90N15 Ixys TO-264-3,TO-264AA MOSFET 90 Amps 150V 0.016 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:150 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:90 A,電阻汲...
點擊查看IXTK90N25L2參考圖片 IXTK90N25L2 Ixys TO-264-3,TO-264AA 2,354 MOSFET 90 Amps 250V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:250 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流:90 A,電阻汲極/源極...
點擊查看IXTK90P20P參考圖片 IXTK90P20P Ixys TO-264-3,TO-264AA MOSFET -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:- 90 A...
IXTL2x180N10T Ixys ISOPLUSi5-Pak? MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,漏極連續(xù)電流:200 A,電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0...
IXTL2x200N085T Ixys ISOPLUSi5-Pak? MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:85 V,漏極連續(xù)電流:224 A,電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.00...
IXTL2x220N075T Ixys ISOPLUSi5-Pak? MOSFET 220 Amps 75V 3.4 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:75 V,漏極連續(xù)電流:240 A,電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.00...
點擊查看IXTL2x240N055T參考圖片 IXTL2x240N055T Ixys ISOPLUSi5-Pak? MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:55 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:280 A,電阻汲...
IXTM12N90 Ixys TO-204AA MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohms Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:900 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:12 A,電阻汲...
IXTM21N50 Ixys TO-204AE MOSFET 21 Amps 500V 0.23 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:21 A,電阻汲...
IXTM24N50 Ixys TO-204AE MOSFET 24 Amps 500V 0.25 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:500 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:24 A,電阻汲...
點擊查看IXTN110N20L2參考圖片 IXTN110N20L2 Ixys SOT-227-4,miniBLOC 143 MOSFET 100Amps 200V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,...
點擊查看IXTN120N25參考圖片 IXTN120N25 Ixys SOT-227-4,miniBLOC MOSFET 120 Amps 250V 0.02 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:10,...
點擊查看IXTN120P20T參考圖片 IXTN120P20T Ixys SOT-227-4,miniBLOC 10 MOSFET TrenchP Power MOSFET
參數(shù):制造商:IXYS,...
點擊查看IXTN170P10P參考圖片 IXTN170P10P Ixys SOT-227-4,miniBLOC 86 MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數(shù)量:10,...
點擊查看IXTN17N120L參考圖片 IXTN17N120L Ixys SOT-227B MOSFET 17 Amps 1200V
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:1200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏極連續(xù)電流:17 A,電阻...
點擊查看IXTN200N10L2參考圖片 IXTN200N10L2 Ixys SOT-227-4,miniBLOC 1,324 MOSFET Linear L2 Pwr MOSFET w/Extended FBSOA
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流:178 A,電阻汲極/源...
點擊查看IXTN200N10T參考圖片 IXTN200N10T Ixys SOT-227B 10 MOSFET
參數(shù):制造商:IXYS,汲極/源極擊穿電壓:100 V,漏極連續(xù)電流:200 A,電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0054 Ohms,配置:Single,最大工作...
點擊查看IXTN21N100參考圖片 IXTN21N100 Ixys SOT-227-4,miniBLOC MOSFET 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:1000 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:21 A,電阻...

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