| 圖片 |
型號(hào) |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
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NE6510179A-EVPW24 |
CEL |
79A |
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射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 2.4 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... |
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NE6510179A-EVPW26 |
CEL |
79A |
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射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 2.6 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... |
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NE6510179A-EVPW35 |
CEL |
79A |
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射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 3.5 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... |
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NE6510179A-T1-A |
CEL |
79A |
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射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET |
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| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|1.9GHz|10dB|3.5 V|2.8A|-|200 mA|32.5dBm|8 V|-|4-SM... |
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NE651R479A-A |
CEL |
79A |
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射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET |
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| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|1.9GHz|12dB|3.5 V|1A|-|50 mA|27dBm|8 V|-|4-SMD，扁平引線|79... |
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NE651R479A-EVPW19 |
CEL |
79A |
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射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 1.9 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：12 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... |
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NE651R479A-EVPW24 |
CEL |
79A |
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射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 2.4 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：12 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... |
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NE651R479A-EVPW26 |
CEL |
79A |
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射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：12 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... |
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NE651R479A-EVPW35 |
CEL |
79A |
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射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 3.5 GHz |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：12 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... |
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NE651R479A-T1-A |
CEL |
79A |
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射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET |
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| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|1.9GHz|12dB|3.5 V|1A|-|50 mA|27dBm|8 V|-|4-SMD，扁平引... |
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NE3508M04-T2-A |
CEL |
F4TSMM，M04 |
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射頻GaAs晶體管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET |
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| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|2GHz|14dB|2 V|120mA|0.45dB|10 mA|18dBm|4 V|-|SOT-3... |
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NE3509M04-A |
CEL |
M04 |
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射頻GaAs晶體管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET |
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| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|2GHz|17.5dB|2 V|60mA|0.4dB|10 mA|11dBm|4 V|-|SOT-343F|... |
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NE4210S01 |
CEL |
SMD |
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射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET |
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| 參數(shù)：CEL|帶|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13dB|2 V|15mA|0.5dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD|SMD... |
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NE4210S01-T1B |
CEL |
SMD |
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射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET |
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| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13dB|2 V|15mA|0.5dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD|SMD... |
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NE3509M04-T2-A |
CEL |
M04 |
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射頻GaAs晶體管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET |
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| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|2GHz|17.5dB|2 V|60mA|0.4d... |
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NE3510M04-A |
CEL |
M04 |
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射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp |
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| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|4GHz|16dB|2 V|97mA|0.45dB|15 mA|11dBm|4 V|-|SOT-343F|M... |
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NE3510M04-T2-A |
CEL |
M04 |
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射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp |
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| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|4GHz|16dB|2 V|97mA|0.45dB... |
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NE3511S02-A |
CEL |
S02 |
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射頻GaAs晶體管 X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch |
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| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13.5dB|2 V|70mA|0.3dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD，扁平引線|S... |
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NE3511S02-T1C-A |
CEL |
S02 |
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射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
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| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13.5dB|2 V|70mA|0.3... |
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NE3512S02-A |
CEL |
S02 |
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射頻GaAs晶體管 C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch |
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| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13.5dB|2 V|70mA|0.35dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD，扁平引線|... |
