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WNSC5D30650CW6Q

廠家:
  WeEn Semiconductors
封裝:
 TO-247-3
數(shù)量:
 3546  
說明:
 DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
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WNSC5D30650CW6Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝:TO-247-3
封裝/外殼:TO-247-3
安裝類型:通孔
工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:50 μA @ 650 V
反向恢復(fù)時間 (trr):0 ns
速度:無恢復(fù)時間 > 500mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.7 V @ 15 A
電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):30A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技術(shù):SiC(Silicon Carbide)Schottky
二極管配置:1 對共陰極
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:散裝
品牌:WeEn Semiconductors

以上是WNSC5D30650CW6Q的詳細信息,包括WNSC5D30650CW6Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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