WG50N65DHWQ

廠家：: WeEn Semiconductors
封裝：: TO-247-3
數(shù)量：: 7092
說明：: IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247

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WG50N65DHWQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-247-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：105 ns
測試條件：400V，50A，10 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：66ns/163ns
柵極電荷：160 nC
輸入類型：標準
開關(guān)能量：1.7mJ（開），600μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：278 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，50A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：200 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：91 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：WeEn Semiconductors

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