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W6672TE350

廠家：: IXYS
封裝：: TO-200AF
數(shù)量：: 2916
說(shuō)明：: DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -

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W6672TE350 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：TO-200AF
封裝/外殼：TO-200AF
安裝類型：底座安裝
不同?Vr、F 時(shí)電容：-
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：100 mA @ 1900 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：52 μs
速度：標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.37 V @ 5000 A
電流 - 平均整流 (Io)：6672A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1900 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：Digi-Key 停止提供
包裝：-
系列：盒
品牌：IXYS

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