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VS-8EWX06FN-M3

廠家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝:
 TO-252,(D-Pak)
數(shù)量:
 7705  
說明:
 DIODE GEN PURP 600V 8A TO252
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VS-8EWX06FN-M3-TO-252,(D-Pak)圖片

VS-8EWX06FN-M3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:TO-252,(D-Pak)
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:50 μA @ 600 V
反向恢復(fù)時間 (trr):17 ns
速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):3 V @ 8 A
電流 - 平均整流 (Io):8A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:FRED Pt?
系列:管件
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是VS-8EWX06FN-M3的詳細(xì)信息,包括VS-8EWX06FN-M3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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