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VNB20N07-E

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 513
說明：: MOSFET N-Ch 70V 20A OmniFET

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VNB20N07-E-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

VNB20N07-E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：430 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：240 ns
功率耗散：83 W
柵極電荷 Qg：60 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：17 S
下降時間：150 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：50 mOhms
漏極連續(xù)電流：20 A
汲極/源極擊穿電壓：70 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是VNB20N07-E的詳細信息，包括VNB20N07-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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