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UGB10GCTHE3_A/I

廠家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝：: TO-263AB
數(shù)量：: 3168
說明：: 10A,400V,35NS,DUAL UF RECT

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UGB10GCTHE3_A/I PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：TO-263AB
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度 - 結(jié)：-40°C ~ 150°C
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：10 μA @ 400 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：50 ns
速度：快速恢復(fù) = 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.3 V @ 5 A
電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：5A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：400 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
二極管配置：1 對(duì)共陰極
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是UGB10GCTHE3_A/I的詳細(xì)信息，包括UGB10GCTHE3_A/I廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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