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TRS8E65F,S1Q

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-220-2L
數(shù)量：: 391
說明：: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2L

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TRS8E65F,S1Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：TO-220-2L
封裝/外殼：TO-220-2
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時(shí)電容：28pF @ 650V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：40 μA @ 650 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：0 ns
速度：無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.6 V @ 8 A
電流 - 平均整流 (Io)：8A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TRS8E65F,S1Q的詳細(xì)信息，包括TRS8E65F,S1Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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