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TPH8R80ANH,L1Q

廠家：: Toshiba
封裝：: 8-PowerVDFN
數(shù)量：: 81
說(shuō)明：: MOSFET N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC

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TPH8R80ANH,L1Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：33 ns
上升時(shí)間：7 ns
功率耗散：61 W
柵極電荷 Qg：33 nC
下降時(shí)間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOP-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：7.4 mOhms
漏極連續(xù)電流：59 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TPH8R80ANH,L1Q的詳細(xì)信息，包括TPH8R80ANH,L1Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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