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TPC6503(TE85L,F,M)

廠家：: Toshiba
封裝：: VS-6（2.9x2.8）
數(shù)量：: 5850
說明：: MOSFET NPN hFE 400 to 1000 VCE 0.12V tF 45ns

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TPC6503(TE85L,F,M) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：-
功率 - 最大值：1.6 W
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：400 @ 150mA，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：120mV @ 10mA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：30 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1.5 A
晶體管類型：NPN
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：U-MOSVII
系列：卷帶（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TPC6503(TE85L,F,M)的詳細(xì)信息，包括TPC6503(TE85L,F,M)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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