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TND017SW-TL-E

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
數(shù)量:
 4014  
說明:
 MOSFET EXPD NCH+NCH 1.5A 60V
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TND017SW-TL-E-8-SOIC(0.173

TND017SW-TL-E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

功率耗散:1.7 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SOP-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):400 mOhms
漏極連續(xù)電流:1.5 A
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是TND017SW-TL-E的詳細信息,包括TND017SW-TL-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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