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中文參數(shù)如下: 輸出設(shè)備:NPN Phototransistor 每芯片的通道數(shù)量:2 Channels 最大上升時(shí)間:2 us 最大輸入二極管電流:20 mA 最大下降時(shí)間:3 us 正向電流:16 mA 封裝形式:PDIP-8 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 100 C 最大功率耗散:150 mW 最大集電極電流:10 mA 最大正向二極管電壓:1.3 V 電流傳遞比:50 % to 600 % 絕緣電壓:5000 Vrms 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 最大集電極/發(fā)射極電壓:55 V 制造商:Toshiba