TLP5832(TP,E

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: 8-SO
數(shù)量：: 8325
說明：: IGBT GATE DRIVE PHOTOCOUPLER; SO

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TLP5832(TP,E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：8-SO
封裝/外殼：8-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 110°C
電壓 - 供電：4.5V ~ 5.5V
電流 - DC 正向 (If)（最大值）：20mA
電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：1.4V
上升/下降時(shí)間（典型值）：15ns，8ns
傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）：200ns，200ns
數(shù)據(jù)速率：-
電流 - 輸出/通道：-
輸出類型：推挽式/圖騰柱
輸入類型：DC
共模瞬變抗擾度（最小值）：20kV/μs
電壓 - 隔離：5000Vrms
輸入 - 側(cè) 1/側(cè) 2：1/0
通道數(shù)：1
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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