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TLP109(E)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 SO-6
數(shù)量:
 4943  
說明:
 高速光耦合器 IC cplr 1Mbps CTR=20%min
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TLP109(E)-SO-6圖片

TLP109(E) PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:125
輸出設(shè)備:Photo IC
每芯片的通道數(shù)量:1 Channel
最小正向二極管電壓:1.5 V
最大正向二極管電流:40 mA
最大連續(xù)輸出電流:8 mA
絕緣電壓:3750 Vrms
包裝形式:Tray
封裝形式:SO-6
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 100 C
最大功率耗散:100 mW
最大反向二極管電壓:5 V
最大正向二極管電壓:1.85 V
最大波特率:1 MBps
電流傳遞比:20 %
RoHS:是
產(chǎn)品種類:高速光耦合器
制造商:Toshiba

以上是TLP109(E)的詳細信息,包括TLP109(E)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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