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TLE2061IDR

廠家:
  Texas Instruments
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 4104  
說明:
 運算放大器 - 運放 JFET-Input Hi-Output Drive uPower
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TLE2061IDR-8-SOIC圖片

TLE2061IDR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

電壓增益 dB:98.06 dB
技術(shù):BiFET
電源電流:0.35 mA
工廠包裝數(shù)量:2500
最小工作溫度:- 40 C
最小雙重電源電壓:+/- 3.5 V
最大雙重電源電壓:+/- 18 V
增益帶寬生成:1.8 MHz
包裝形式:Reel
最大工作溫度:+ 85 C
關(guān)閉:No
轉(zhuǎn)換速度:3.4 V/us
封裝形式:SOIC-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
工作電源電壓:+/- 3.5 V to +/- 18 V
輸入偏流(最大值):4 nA
輸入補償電壓:3.1 mV
共模抑制比(最小值):65 dB
通道數(shù)量:1
RoHS:是
產(chǎn)品種類:運算放大器 - 運放
制造商:Texas Instruments

以上是TLE2061IDR的詳細信息,包括TLE2061IDR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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