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TCDT1103G

廠家:
  Vishay Semiconductors
封裝:
 6-DIP
數(shù)量:
 3799  
說明:
 晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-200%
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TCDT1103G-6-DIP圖片

TCDT1103G PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:3000
輸出類型:DC
輸出設(shè)備:NPN Phototransistor
每芯片的通道數(shù)量:1 Channel
最大反向二極管電壓:5 V
最大輸入二極管電流:60 mA
包裝形式:Tube
封裝形式:PDIP-6
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 100 C
最大功率耗散:250 mW
最大集電極電流:50 mA
最大正向二極管電壓:1.6 V
電流傳遞比:200 %
絕緣電壓:5000 Vrms
最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.3 V
最大集電極/發(fā)射極電壓:32 V
輸入類型:DC
RoHS:是
產(chǎn)品種類:晶體管輸出光電耦合器
制造商:Vishay

以上是TCDT1103G的詳細(xì)信息,包括TCDT1103G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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