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SUP60N10-18P-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 3663
說明：: MOSFET 100V 60A 150W 18.3mohm @ 10V

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SUP60N10-18P-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：18 ns
上升時(shí)間：10 ns
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：48 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：33 S
下降時(shí)間：8 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0183 Ohms
漏極連續(xù)電流：60 A
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUP60N10-18P-E3的詳細(xì)信息，包括SUP60N10-18P-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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