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SUM110P08-11-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 3240
說(shuō)明：: MOSFET 80V 110A 375W 11.1mohm @ 10V

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SUM110P08-11-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：145 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時(shí)間：410 ns
功率耗散：13.6 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：470 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0111 Ohms
漏極連續(xù)電流：23.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 80 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUM110P08-11-E3的詳細(xì)信息，包括SUM110P08-11-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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