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SUD50N10-18P-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 6786
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 100V DPAK

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SUD50N10-18P-GE3-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

SUD50N10-18P-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：18.5 毫歐 @ 15A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：50A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：75nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：2600pF @ 50V
功率 - 最大：2.5W
安裝類(lèi)型：表面貼裝

以上是SUD50N10-18P-GE3的詳細(xì)信息，包括SUD50N10-18P-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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