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SUD09P10-195-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 32321
說明：: MOSFET P-CH 100V DPAK

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SUD09P10-195-GE3-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

SUD09P10-195-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：195 毫歐 @ 3.6A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：8.8A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：34.8nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1055pF @ 50V
功率 - 最大：2.5W
安裝類型：表面貼裝

以上是SUD09P10-195-GE3的詳細信息，包括SUD09P10-195-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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