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STS1HNK60

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數(shù)量:
 3564  
說明:
 MOSFET NPN Transistor
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STS1HNK60-8-SOIC(0.154

STS1HNK60 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:5 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 65 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :1 S
下降時間:25 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):8.5 Ohms
漏極連續(xù)電流:0.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STS1HNK60的詳細(xì)信息,包括STS1HNK60廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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