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STGW60H65DRF

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-247-3
數(shù)量:
 3231  
說明:
 IGBT 晶體管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
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STGW60H65DRF-TO-247-3圖片

STGW60H65DRF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

安裝風(fēng)格:SMD/SMT
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-247
功率耗散:360 W
柵極—射極漏泄電流:250 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流:120 A
柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
集電極—射極飽和電壓:1.9 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V
RoHS:是
制造商:STMicroelectronics

以上是STGW60H65DRF的詳細(xì)信息,包括STGW60H65DRF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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