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STGP4M65DF2

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-220
數(shù)量：: 7605
說明：: IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS

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STGP4M65DF2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-220-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：133 ns
測試條件：400V，4A，47 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：12ns/86ns
柵極電荷：15.2 nC
輸入類型：標準
開關能量：40μJ（開），136μJ（關）
功率 - 最大值：68 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：16 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：8 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：M
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是STGP4M65DF2的詳細信息，包括STGP4M65DF2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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