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STGIPN3H60

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 26-PowerDIP 模塊(0.846",21.48mm)
數(shù)量:
 2295  
說明:
 IGBT 晶體管 SLIMM Nano 3A 600V 3-Phase IGBT Bridge
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STGIPN3H60-26-PowerDIP 模塊(0.846

STGIPN3H60 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

安裝風(fēng)格:Through Hole
最小工作溫度:- 40 C
包裝形式:Tube
封裝形式:NDIP-26L
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:8 W
在25 C的連續(xù)集電極電流:3 A
集電極—射極飽和電壓:2.6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
RoHS:是
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
制造商:STMicroelectronics

以上是STGIPN3H60的詳細(xì)信息,包括STGIPN3H60廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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