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STD120N4F6

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
數(shù)量:
 7695  
說(shuō)明:
 MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
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STD120N4F6-TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63圖片

STD120N4F6 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

功率耗散:110 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:65 nC
包裝形式:Reel
封裝形式:DPAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):4 mOhms
漏極連續(xù)電流:80 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STD120N4F6的詳細(xì)信息,包括STD120N4F6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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