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STB6NM60N

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 7056  
說明:
 MOSFET N-ch 600 V 4.6 Amp Power MDmesh
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STB6NM60N-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

STB6NM60N PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:40 ns
上升時(shí)間:8 ns
功率耗散:45 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:9 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.92 Ohms
漏極連續(xù)電流:4.6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STB6NM60N的詳細(xì)信息,包括STB6NM60N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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