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STB23NM60ND

廠家：
  STMicroelectronics
封裝：
 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：
 6048  
說明：
 MOSFET N-CH 600V 0.150 Ohm 19.5A FDmesh II MOS
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STB23NM60ND PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：90 ns
上升時間：45 ns
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：40 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.18 Ohms
漏極連續(xù)電流：19.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB23NM60ND的詳細信息，包括STB23NM60ND廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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