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STB150N3LH6

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 5201  
說明:
 MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
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STB150N3LH6-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

STB150N3LH6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:100 ns
上升時間:85 ns
功率耗散:110 W
柵極電荷 Qg:80 nC
下降時間:40 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):3 mOhms
漏極連續(xù)電流:80 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:STMicroelectronics

以上是STB150N3LH6的詳細信息,包括STB150N3LH6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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