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SST4119-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-236
數(shù)量：: 5445
說(shuō)明：: JFET 70V 200uA

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SST4119-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：TO-236
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：350 mW
電阻 - RDS(On)：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3pF @ 10V
不同 Id 時(shí)電壓 - 截止 (VGS off)：2 V @ 1 nA
漏極電流 (Id) - 最大值：-
不同 Vds (Vgs=0) 時(shí)電流 - 漏極 (Idss)：200 μA @ 10 V
漏源電壓（Vdss）：-
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：40 V
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Vishay Siliconix

以上是SST4119-T1-E3的詳細(xì)信息，包括SST4119-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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