點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SIS892DN-GE3
功率耗散：52 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：14.2 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：22 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：29 mOhms
漏極連續(xù)電流：30 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIS892DN-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIS892DN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產(chǎn)品：

軟開關(guān) PWM 控制器   低壓差控制器 - LDO   反饋回路功率控制器   功率因數(shù)校正 IC   電壓模式 PWM 控制器  

開關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器最新產(chǎn)品：

XC9141B23C0R-G

XC9141B22C0R-G

XC9141B21C0R-G

XC9141B20C0R-G

XC9141B19C0R-G

XC9141B18C0R-G

XC9141A55D0R-G

XC9141A54D0R-G

XC9141A53D0R-G

XC9141A52D0R-G