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SIS778DN-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8
數(shù)量：: 3402
說明：: MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts

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SIS778DN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIS778DN-GE3
典型關(guān)閉延遲時間：20 ns
上升時間：12 ns
功率耗散：52 W
柵極電荷 Qg：27.5 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：60 S
下降時間：9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.004 Ohms
漏極連續(xù)電流：35 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIS778DN-T1-GE3的詳細信息，包括SIS778DN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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