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SIS606BDN-T1-GE3

廠家:
  Vishay Siliconix
封裝:
 PowerPAK? 1212-8
數(shù)量:
 10527  
說明:
 MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
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SIS606BDN-T1-GE3-PowerPAK? 1212-8圖片

SIS606BDN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝:PowerPAK? 1212-8
封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
同步整流器:3.7W(Ta),52W(Tc)
頻率 - 開關:-
電流 - 輸出:1470 pF @ 50 V
電壓 - 輸出(最大值):±20V
電壓 - 輸出(最小值/固定):30 nC @ 10 V
電壓 - 輸入(最大值):4V @ 250μA
電壓 - 輸入(最小值):17.4 毫歐 @ 10A,10V
輸出數(shù):7.5V,10V
輸出類型:9.4A(Ta),35.3A(Tc)
拓撲:100 V
輸出配置:MOSFET(金屬氧化物)
功能:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:TrenchFET? Gen IV
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Vishay Siliconix

以上是SIS606BDN-T1-GE3的詳細信息,包括SIS606BDN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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