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SIR412DP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數(shù)量：: 3015
說明：: MOSFET 25V 20A N-CH MOSFET

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SIR412DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIR412DP-GE3
功率耗散：15.6 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：10.7 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：33 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.01 Ohms
漏極連續(xù)電流：20 A
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIR412DP-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIR412DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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