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SIDR220DP-T1-GE3

廠家:
  Vishay Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數(shù)量:
 2925  
說明:
 MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
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SIDR220DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝:PowerPAK? SO-8
封裝/外殼:PowerPAK? SO-8DC
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
同步整流器:6.25W(Ta),125W(Tc)
頻率 - 開關(guān):-
電流 - 輸出:1085 pF @ 10 V
電壓 - 輸出(最大值):+16V,-12V
電壓 - 輸出(最小值/固定):200 nC @ 10 V
電壓 - 輸入(最大值):2.1V @ 250μA
電壓 - 輸入(最小值):5.8 毫歐 @ 20A,10V
輸出數(shù):4.5V,10V
輸出類型:87.7A(Ta),100A(Tc)
拓撲:25 V
輸出配置:MOSFET(金屬氧化物)
功能:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:TrenchFET? Gen IV
系列:卷帶(TR)
品牌:Vishay Siliconix

以上是SIDR220DP-T1-GE3的詳細信息,包括SIDR220DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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