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SIDC11D60SIC3

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 帶箔切割晶片
數(shù)量：: 2178
說明：: DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER

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SIDC11D60SIC3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
電壓 - (Vr)（最大）600V
電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）1.9V @ 4A
電流 - 平均整流 (Io)4A (DC)
電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電200µA @ 600V
二極管型碳化硅
速度無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA (Io)
反向恢復(fù)時(shí)間(trr)0ns
電容@ Vr, F-
安裝類型表面貼裝

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