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SI7858BDP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數(shù)量：: 8523
說明：: MOSFET N-CH 8-SOIC

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SI7858BDP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.5 毫歐 @ 15A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：40A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：84nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：5760pF @ 6V
功率 - 最大：48W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI7858BDP-T1-GE3的詳細信息，包括SI7858BDP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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