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SI7625DN-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8
數(shù)量：: 13628
說明：: MOSFET -30V 7mOhm@10V 35A P-Ch G-III

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SI7625DN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI7625DN-GE3
功率耗散：3.7 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：84.5 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：47 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：7 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：- 3 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI7625DN-T1-GE3的詳細信息，包括SI7625DN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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