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首頁 > 電子元件分類 > 電源 > 電源管理 IC > 開關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器 > SI7120ADN-T1-GE3

SI7120ADN-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8
數(shù)量：: 9142
說明：: MOSFET N-CH 60V 1212-8 PPAK

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SI7120ADN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：21 毫歐 @ 9.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：6A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：45nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：-
功率 - 最大：1.5W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI7120ADN-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI7120ADN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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