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SI6473DQ-T1-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
數(shù)量:
 6777  
說明:
 MOSFET 20V 9.5A 1.5W
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SI6473DQ-T1-E3-8-TSSOP(0.173

SI6473DQ-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SI6473DQ-E3
典型關閉延遲時間:220 ns
商標名:TrenchFET
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:33 ns
功率耗散:1.75 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:33 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSSOP-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):12.5 mOhms
漏極連續(xù)電流:9.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI6473DQ-T1-E3的詳細信息,包括SI6473DQ-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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