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SI5858DU-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? CHIPFET? 單
數(shù)量：: 5139
說(shuō)明：: MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V

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SI5858DU-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI5858DU-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：40 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：2.3 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK-8 ChipFET Dual
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：39 mOhms
漏極連續(xù)電流：7.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5858DU-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI5858DU-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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