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SI4835DDY-T1-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數量:
 9626  
說明:
 MOSFET 30V 13A 5.6W 18mohm @ 10V
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SI4835DDY-T1-E3-8-SOIC(0.154

SI4835DDY-T1-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI4835DDY-E3
典型關閉延遲時間:32 ns, 28 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:13 ns, 100 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:9 ns, 15 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):18 mOhms
漏極連續(xù)電流:8.7 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4835DDY-T1-E3的詳細信息,包括SI4835DDY-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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