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SI4825DDY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 42675
說明：: MOSFET 30V 14.9A 5.0W 12.5mohm @ 10V

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SI4825DDY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI4825DDY-GE3
典型關(guān)閉延遲時間：40 ns, 34 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：12 ns, 92 ns
功率耗散：2.7 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：9 ns, 19 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0125 Ohms
漏極連續(xù)電流：10.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4825DDY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4825DDY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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