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SI3865BDV-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
數(shù)量：: 3780
說明：: MOSFET 8.0V 2.9A 0.83W 60mohm @ 4.5V

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SI3865BDV-T1-GE3-SOT-23-6 細型，TSOT-23-6圖片

SI3865BDV-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI3865BDV-GE3
功率耗散：830 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.06 Ohms
漏極連續(xù)電流：2.3 A
汲極/源極擊穿電壓：8 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3865BDV-T1-GE3的詳細信息，包括SI3865BDV-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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