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SI2366DS-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
數(shù)量:
 30835  
說明:
 MOSFET 30 Volts 5.8 Amps 2.1 Watts
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SI2366DS-T1-GE3-TO-236-3,SC-59,SOT-23-3圖片

SI2366DS-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號別名:SI2366DS-GE3
典型關(guān)閉延遲時間:14 ns
上升時間:12 ns
功率耗散:2.1 W
柵極電荷 Qg:6.4 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :13 S
下降時間:8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-23
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.03 Ohms
漏極連續(xù)電流:5.8 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI2366DS-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI2366DS-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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