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SEG10FGHM3/I

廠家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝：: DO-219AB（SMF）
數(shù)量：: 6633
說明：: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB

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SEG10FGHM3/I PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：DO-219AB（SMF）
封裝/外殼：DO-219AB
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：7.3pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：5 μA @ 400 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：1.2 μs
速度：標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 700 mA
電流 - 平均整流 (Io)：1A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：400 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是SEG10FGHM3/I的詳細(xì)信息，包括SEG10FGHM3/I廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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